Lớp phủ plasma có thể đạt được nhiệt độ hồ quang cao tới 24.000 K (khoảng 23.727 độ).
Tấm ốp plasma sử dụng hồ quang điện nén làm nguồn nhiệt, với dải nhiệt độ tập trung trong khoảng 18.000 đến 24.000 K (Kelvin), tương đương khoảng 17.727-23.727 độ. Nhiệt độ cực cao này có thể làm tan chảy ngay lập tức tất cả các vật liệu kim loại đã biết, tạo ra lớp phủ hiệu quả cao.
Mô tả thông số chính:
1. Phạm vi nhiệt độ: 18000-24000K (Thang nhiệt độ nhiệt động lực học)
2. Chuyển đổi nhiệt độ độ C: Giá trị K trừ 273 (khoảng 17727-23727 độ)
3. Đặc điểm nguồn nhiệt: Cung mật độ-năng lượng-cao được hình thành do nén cơ/điện từ
4. Ưu điểm so sánh: Nhiệt độ tăng hơn 200% so với hàn hồ quang thông thường (khoảng 5000-8000K)
Cơ sở kỹ thuật: Hồ quang plasma làm giảm mặt cắt ngang hồ quang-thông qua quá trình nén cưỡng bức, tăng đáng kể mật độ dòng điện với năng lượng đơn vị đạt 10^5-10^6 W/cm². Khí hoạt động (chủ yếu là hỗn hợp argon{6}}hydro) ion hóa để tạo thành một tia nhiệt độ cao liên tục, kết hợp với hệ thống cấp dây, đạt được liên kết luyện kim giữa lớp ốp và chất nền.
Lưu ý: Nhiệt độ vận hành thực tế cần được điều chỉnh theo công suất thiết bị (thường là 30-400kW), tỷ lệ khí và các thông số quy trình, nhưng sẽ không vượt quá phạm vi lý thuyết trên.